购买 Central Semiconductor Corp CXDM3069N TR MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89 - 天凌箭

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CXDM3069N TR

数据表

CXDM3069N TR

MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89

型号

CXDM3069N TR

制造商/品牌

Central Semiconductor Corp

系列

-

零件状态

Active

包装

Cut Tape (CT)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

封装/箱体

TO-243AA

供应商器件封装

SOT-89

功率耗散（最大）

1.2W (Ta)

场效应晶体管类型

N-Channel

场效应晶体管特性

-

漏源电压 (Vdss)

30V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C

6.9A (Ta)

Rds On（最大值）@ Id、Vgs

30 mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)（最大值）@Id

1.4V @ 250µA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

11nC @ 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

580pF @ 15V

驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）

2.5V, 10V

电压 (最大值)

12V

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