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CZDM1003N TR

CZDM1003N TR

MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223
型号
CZDM1003N TR
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装
SOT-223
功率耗散(最大)
2W (Ta)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
100V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
3A (Ta)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
150 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
15nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
975pF @ 25V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
10V
电压 (最大值)
20V
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