C2M0080170P
ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS
型号
C2M0080170P
制造商/品牌
系列
C2M™
零件状态
Active
包装
-
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-247-4
供应商器件封装
TO-247-4L
功率耗散（最大）
277W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
1700V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
40A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
125 mOhm @ 28A, 20V
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 10mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
120nC @ 20V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2250pF @ 1000V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
20V
电压 (最大值)
+25V, -10V
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