C2M0160120D
MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
型号
C2M0160120D
制造商/品牌
系列
Z-FET™
零件状态
Active
包装
Tube
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
功率耗散（最大）
125W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
1200V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
19A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
196 mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.5V @ 500µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
32.6nC @ 20V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
527pF @ 800V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
20V
电压 (最大值)
+25V, -10V
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