C2M0280120D
MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
10A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
370 mOhm @ 6A, 20V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.8V @ 1.25mA (Typ)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
20.4nC @ 20V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
259pF @ 1000V
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