C3M0065090D
MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
型号
C3M0065090D
制造商/品牌
系列
C3M™
零件状态
Active
包装
Tube
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
功率耗散（最大）
125W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
900V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
36A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
78 mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.1V @ 5mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
30.4nC @ 15V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
660pF @ 600V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
15V
电压 (最大值)
+18V, -8V
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