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CMF10120D

CMF10120D

MOSFET N-CH 1200V 24A TO247
型号
CMF10120D
制造商/品牌
系列
Z-FET™
零件状态
Obsolete
包装
Tube
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
工作温度
-55°C ~ 135°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247
功率耗散(最大)
134W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
1200V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
24A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
220 mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th)(最大值)@Id
4V @ 500µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
47.1nC @ 20V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
928pF @ 800V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
20V
电压 (最大值)
+25V, -5V
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