E3M0120090D
E-SERIES 900V, 120 MOHM, G3 SIC
型号
E3M0120090D
制造商/品牌
系列
Automotive, AEC-Q101, E
零件状态
Active
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
功率耗散（最大）
97W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
漏源电压 (Vdss)
900V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
23A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
155 mOhm @ 15A, 15V
Vgs(th)（最大值）@Id
3.5V @ 3mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
17.3nC @ 15V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
350pF @ 600V
电压 (最大值)
+18V, -8V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
15V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 1943626632@qq.com，我们将尽快回复。
有货 15103 PCS
联系信息
相关产品
关键词 E3M0120090D
E3M0120090D 电子元件
E3M0120090D 销售
E3M0120090D 供应商
E3M0120090D 分销商
E3M0120090D 数据表
E3M0120090D 图片
E3M0120090D 报价
E3M0120090D 提供
E3M0120090D 最低价格
E3M0120090D 搜索
E3M0120090D 购买
E3M0120090D 芯片
×
![]()