2N7636-GA
TRANS SJT 650V 4A TO276
型号
2N7636-GA
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Obsolete
包装
Tube
技术
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
工作温度
-55°C ~ 225°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-276AA
供应商器件封装
TO-276
功率耗散（最大）
125W (Tc)
场效应晶体管类型
-
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
650V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
4A (Tc) (165°C)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
415 mOhm @ 4A
Vgs(th)（最大值）@Id
-
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
324pF @ 35V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
-
电压 (最大值)
-
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