GA20JT12-263
TRANS SJT 1200V 45A
型号
GA20JT12-263
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tube
技术
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
工作温度
175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
供应商器件封装
D2PAK (7-Lead)
功率耗散（最大）
282W (Tc)
场效应晶体管类型
-
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
1200V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
45A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
60 mOhm @ 20A
Vgs(th)（最大值）@Id
-
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
3091pF @ 800V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
-
电压 (最大值)
-
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