GSID080A120B1A5
SILICON IGBT MODULES
型号
GSID080A120B1A5
系列
Amp+™
零件状态
Active
工作温度
-40°C ~ 150°C
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
Module
功率 - 最大
1710W
配置
Single
供应商器件封装
Module
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
160A
电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）
1200V
电流 - 集电极截止（最大值）
1mA
IGBT类型
-
Vce(on)（最大值）@Vge，Ic
2V @ 15V, 80A
输入电容 (Cies) @ Vce
7nF @ 25V
输入
Standard
NTC热敏电阻
Yes
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