GSID150A120S6A4
SILICON IGBT MODULES
型号
GSID150A120S6A4
系列
Amp+™
零件状态
Active
工作温度
-40°C ~ 150°C
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
Module
功率 - 最大
1035W
配置
Single
供应商器件封装
Module
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
275A
电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）
1200V
电流 - 集电极截止（最大值）
1mA
IGBT类型
-
Vce(on)（最大值）@Vge，Ic
1.9V @ 15V, 150A
输入电容 (Cies) @ Vce
20.2nF @ 25V
输入
Standard
NTC热敏电阻
Yes
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 1943626632@qq.com，我们将尽快回复。
有货 35229 PCS
联系信息
相关产品
关键词 GSID150A120S6A4
GSID150A120S6A4 电子元件
GSID150A120S6A4 销售
GSID150A120S6A4 供应商
GSID150A120S6A4 分销商
GSID150A120S6A4 数据表
GSID150A120S6A4 图片
GSID150A120S6A4 报价
GSID150A120S6A4 提供
GSID150A120S6A4 最低价格
GSID150A120S6A4 搜索
GSID150A120S6A4 购买
GSID150A120S6A4 芯片
×
![]()