GSID600A120S4B1
SILICON IGBT MODULES
型号
GSID600A120S4B1
系列
Amp+™
零件状态
Active
工作温度
-40°C ~ 150°C
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
Module
功率 - 最大
3060W
配置
Half Bridge
供应商器件封装
Module
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
1130A
电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）
1200V
电流 - 集电极截止（最大值）
1mA
IGBT类型
-
Vce(on)（最大值）@Vge，Ic
2.1V @ 15V, 600A
输入电容 (Cies) @ Vce
51nF @ 25V
输入
Standard
NTC热敏电阻
Yes
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