BSB104N08NP3GXUSA1
MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON
型号
BSB104N08NP3GXUSA1
制造商/品牌
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
3-WDSON
供应商器件封装
MG-WDSON-2, CanPAK M™
功率耗散（最大）
2.8W (Ta), 42W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
80V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
10.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
3.5V @ 40µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
31nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2100pF @ 40V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±20V
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