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BSC009NE2LSATMA1

BSC009NE2LSATMA1

MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8
型号
BSC009NE2LSATMA1
制造商/品牌
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerTDFN
供应商器件封装
PG-TDSON-8
功率耗散(最大)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
25V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
41A (Ta), 100A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
0.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.2V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
126nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
5800pF @ 12V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
4.5V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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