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BSM100GB120DN2KHOSA1

BSM100GB120DN2KHOSA1

IGBT 2 MED POWER 34MM-1
型号
BSM100GB120DN2KHOSA1
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Not For New Designs
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
Module
功率 - 最大
700W
配置
Half Bridge
供应商器件封装
Module
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
145A
电压 - 集电极发射极击穿电压(最大值)
1200V
电流 - 集电极截止(最大值)
2mA
IGBT类型
-
Vce(on)(最大值)@Vge,Ic
3V @ 15V, 100A
输入电容 (Cies) @ Vce
6.5nF @ 25V
输入
Standard
NTC热敏电阻
No
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