BSO200N03
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO
封装/箱体
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
6.6A
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
20 mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
2V @ 13µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
8nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1010pF @ 15V
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