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BSS119 E7796

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BSS119 E7796

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

型号

BSS119 E7796

制造商/品牌

Infineon Technologies

系列

SIPMOS®

零件状态

Obsolete

包装

Tape & Reel (TR)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

封装/箱体

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装

PG-SOT23-3

功率耗散（最大）

360mW (Ta)

场效应晶体管类型

N-Channel

场效应晶体管特性

-

漏源电压 (Vdss)

100V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C

170mA (Ta)

Rds On（最大值）@ Id、Vgs

6 Ohm @ 170mA, 10V

Vgs(th)（最大值）@Id

2.3V @ 50µA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

2.5nC @ 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

78pF @ 25V

驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）

4.5V, 10V

电压 (最大值)

±20V

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