DF200R12KE3HOSA1
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
型号
DF200R12KE3HOSA1
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
工作温度
-40°C ~ 125°C
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
Module
功率 - 最大
1040W
配置
Single
供应商器件封装
Module
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
-
电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）
1200V
电流 - 集电极截止（最大值）
5mA
IGBT类型
-
Vce(on)（最大值）@Vge，Ic
2.15V @ 15V, 200A
输入电容 (Cies) @ Vce
14nF @ 25V
输入
Standard
NTC热敏电阻
No
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