图片可能具有代表性。
产品详情请参阅规格.
FD-DF80R12W1H3_B52

FD-DF80R12W1H3_B52

IGBT MODULE VCES 1200V 40A
型号
FD-DF80R12W1H3_B52
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
工作温度
-40°C ~ 125°C
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
Module
功率 - 最大
215W
配置
Single
供应商器件封装
Module
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
40A
电压 - 集电极发射极击穿电压(最大值)
1200V
电流 - 集电极截止(最大值)
1mA
IGBT类型
Trench Field Stop
Vce(on)(最大值)@Vge,Ic
2.4V @ 15V, 40A
输入电容 (Cies) @ Vce
235nF @ 25V
输入
Standard
NTC热敏电阻
Yes
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”,我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题,请留言或发送电子邮件至 1943626632@qq.com,我们将尽快回复。
有货 28036 PCS
联系信息
关键词 FD-DF80R12W1H3_B52
FD-DF80R12W1H3_B52 电子元件
FD-DF80R12W1H3_B52 销售
FD-DF80R12W1H3_B52 供应商
FD-DF80R12W1H3_B52 分销商
FD-DF80R12W1H3_B52 数据表
FD-DF80R12W1H3_B52 图片
FD-DF80R12W1H3_B52 报价
FD-DF80R12W1H3_B52 提供
FD-DF80R12W1H3_B52 最低价格
FD-DF80R12W1H3_B52 搜索
FD-DF80R12W1H3_B52 购买
FD-DF80R12W1H3_B52 芯片