IPB60R060C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3
型号
IPB60R060C7ATMA1
制造商/品牌
系列
CoolMOS™ C7
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
供应商器件封装
PG-TO263-3
功率耗散（最大）
162W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
650V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
35A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
60 mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 800µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
68nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2850pF @ 400V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±20V
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