IPW60R040CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW
型号
IPW60R040CFD7XKSA1
制造商/品牌
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
包装
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-247-3
供应商器件封装
PG-TO247-3
功率耗散（最大）
227W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
600V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
50A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
40 mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4.5V @ 1.25mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
109nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
4354pF @ 400V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±20V
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