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IXBT16N170AHV

IXBT16N170AHV

IGBT
型号
IXBT16N170AHV
制造商/品牌
系列
BIMOSFET™
零件状态
Active
包装
-
输入类型
Standard
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
功率 - 最大
150W
供应商器件封装
TO-268HV
反向恢复时间 (trr)
25ns
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
16A
电压 - 集电极发射极击穿电压(最大值)
1700V
IGBT类型
-
Vce(on)(最大值)@Vge,Ic
6V @ 15V, 10A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
40A
转换能源
2.5mJ (off)
栅极电荷
65nC
Td(开/关)@25°C
15ns/250ns
测试条件
1360V, 10A, 10 Ohm, 15V
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