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IXBT42N170A

IXBT42N170A

IGBT 1700V 42A 357W TO268
型号
IXBT42N170A
制造商/品牌
系列
BIMOSFET™
零件状态
Active
包装
Tube
输入类型
Standard
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
功率 - 最大
357W
供应商器件封装
TO-268
反向恢复时间 (trr)
330ns
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
42A
电压 - 集电极发射极击穿电压(最大值)
1700V
IGBT类型
-
Vce(on)(最大值)@Vge,Ic
6V @ 15V, 21A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
265A
转换能源
3.43mJ (on), 430µJ (off)
栅极电荷
188nC
Td(开/关)@25°C
19ns/200ns
测试条件
850V, 21A, 1 Ohm, 15V
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