图片可能具有代表性。
产品详情请参阅规格.
IXBX75N170A

IXBX75N170A

IGBT 1700V 110A 1040W PLUS247
型号
IXBX75N170A
制造商/品牌
系列
BIMOSFET™
零件状态
Active
包装
Tube
输入类型
Standard
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-247-3
功率 - 最大
1040W
供应商器件封装
PLUS247™-3
反向恢复时间 (trr)
360ns
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
110A
电压 - 集电极发射极击穿电压(最大值)
1700V
IGBT类型
-
Vce(on)(最大值)@Vge,Ic
6V @ 15V, 42A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
300A
转换能源
3.8mJ (off)
栅极电荷
358nC
Td(开/关)@25°C
26ns/418ns
测试条件
1360V, 42A, 1 Ohm, 15V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”,我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题,请留言或发送电子邮件至 1943626632@qq.com,我们将尽快回复。
有货 31895 PCS
联系信息
关键词 IXBX75N170A
IXBX75N170A 电子元件
IXBX75N170A 销售
IXBX75N170A 供应商
IXBX75N170A 分销商
IXBX75N170A 数据表
IXBX75N170A 图片
IXBX75N170A 报价
IXBX75N170A 提供
IXBX75N170A 最低价格
IXBX75N170A 搜索
IXBX75N170A 购买
IXBX75N170A 芯片