IXCY01N90E
MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252
型号
IXCY01N90E
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Obsolete
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装
TO-252
功率耗散（最大）
40W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
900V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
250mA (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
80 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
5V @ 25µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
7.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
133pF @ 25V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±20V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 1943626632@qq.com，我们将尽快回复。
有货 8079 PCS
联系信息
相关产品
关键词 IXCY01N90E
IXCY01N90E 电子元件
IXCY01N90E 销售
IXCY01N90E 供应商
IXCY01N90E 分销商
IXCY01N90E 数据表
IXCY01N90E 图片
IXCY01N90E 报价
IXCY01N90E 提供
IXCY01N90E 最低价格
IXCY01N90E 搜索
IXCY01N90E 购买
IXCY01N90E 芯片
×
![]()