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IXFJ20N85X

IXFJ20N85X

MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247
型号
IXFJ20N85X
制造商/品牌
系列
HiPerFET™
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-247-3
供应商器件封装
ISO TO-247-3
功率耗散(最大)
110W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
850V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
9.5A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
360 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
5.5V @ 2.5mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
63nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1660pF @ 25V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
10V
电压 (最大值)
±30V
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