购买 IXYS IXTD1R4N60P 11 MOSFET N-CH 600V - 天凌箭

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IXTD1R4N60P 11

MOSFET N-CH 600V

型号

IXTD1R4N60P 11

制造商/品牌

IXYS

系列

PolarHV™

零件状态

Obsolete

包装

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

封装/箱体

Die

供应商器件封装

Die

功率耗散（最大）

50W (Tc)

场效应晶体管类型

N-Channel

场效应晶体管特性

-

漏源电压 (Vdss)

600V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C

1.4A (Tc)

Rds On（最大值）@ Id、Vgs

9 Ohm @ 700mA, 10V

Vgs(th)（最大值）@Id

5.5V @ 25µA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

5.2nC @ 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

140pF @ 25V

驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）

10V

电压 (最大值)

±30V

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