图片可能具有代表性。
产品详情请参阅规格.
IXTF1N450

IXTF1N450

MOSFET N-CH 4500V 0.9A I4PAK
型号
IXTF1N450
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
i4-Pac™-5 (3 Leads)
供应商器件封装
ISOPLUS i4-PAC™
功率耗散(最大)
160W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
4500V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
900mA (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
85 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
6.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
40nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1730pF @ 25V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
10V
电压 (最大值)
±20V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”,我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题,请留言或发送电子邮件至 1943626632@qq.com,我们将尽快回复。
有货 22346 PCS
联系信息
关键词 IXTF1N450
IXTF1N450 电子元件
IXTF1N450 销售
IXTF1N450 供应商
IXTF1N450 分销商
IXTF1N450 数据表
IXTF1N450 图片
IXTF1N450 报价
IXTF1N450 提供
IXTF1N450 最低价格
IXTF1N450 搜索
IXTF1N450 购买
IXTF1N450 芯片