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IXTT10N100D

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IXTT10N100D

MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268

型号

IXTT10N100D

制造商/品牌

IXYS

系列

-

零件状态

Active

包装

Tube

技术

MOSFET (Metal Oxide)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

封装/箱体

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

供应商器件封装

TO-268

功率耗散（最大）

400W (Tc)

场效应晶体管类型

N-Channel

场效应晶体管特性

Depletion Mode

漏源电压 (Vdss)

1000V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C

10A (Tc)

Rds On（最大值）@ Id、Vgs

1.4 Ohm @ 10A, 10V

Vgs(th)（最大值）@Id

3.5V @ 250µA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

130nC @ 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

2500pF @ 25V

驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）

10V

电压 (最大值)

±30V

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