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IXUN350N10

IXUN350N10

MOSFET N-CH 100V 350A SOT-227B
型号
IXUN350N10
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Obsolete
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
SOT-227-4, miniBLOC
供应商器件封装
SOT-227B
功率耗散(最大)
830W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
100V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
350A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
2.5 mOhm @ 175A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
4V @ 3mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
640nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
27000pF @ 25V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
10V
电压 (最大值)
±20V
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