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IXYP10N65C3D1M

IXYP10N65C3D1M

IGBT
型号
IXYP10N65C3D1M
制造商/品牌
系列
XPT™, GenX3™
零件状态
Active
包装
-
输入类型
Standard
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
功率 - 最大
53W
供应商器件封装
TO-220 Isolated Tab
反向恢复时间 (trr)
26ns
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
15A
电压 - 集电极发射极击穿电压(最大值)
650V
IGBT类型
-
Vce(on)(最大值)@Vge,Ic
2.6V @ 15V, 10A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
50A
转换能源
240µJ (on), 170µJ (off)
栅极电荷
18nC
Td(开/关)@25°C
20ns/77ns
测试条件
400V, 10A, 50 Ohm, 15V
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