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IXYQ40N65C3D1

IXYQ40N65C3D1

IGBT
型号
IXYQ40N65C3D1
制造商/品牌
系列
XPT™, GenX3™
零件状态
Active
包装
-
输入类型
Standard
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-3P-3, SC-65-3
功率 - 最大
300W
供应商器件封装
TO-3P
反向恢复时间 (trr)
40ns
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
80A
电压 - 集电极发射极击穿电压(最大值)
650V
IGBT类型
-
Vce(on)(最大值)@Vge,Ic
2.35V @ 15V, 40A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
180A
转换能源
830µJ (on), 650µJ (off)
栅极电荷
66nC
Td(开/关)@25°C
23ns/110ns
测试条件
400V, 30A, 10 Ohm, 15V
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