图片可能具有代表性。
产品详情请参阅规格.
MII150-12A4

MII150-12A4

MOD IGBT RBSOA 1200V 180A Y3-DCB
型号
MII150-12A4
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
Y3-DCB
功率 - 最大
760W
配置
Half Bridge
供应商器件封装
Y3-DCB
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
180A
电压 - 集电极发射极击穿电压(最大值)
1200V
电流 - 集电极截止(最大值)
7.5mA
IGBT类型
NPT
Vce(on)(最大值)@Vge,Ic
2.7V @ 15V, 100A
输入电容 (Cies) @ Vce
6.6nF @ 25V
输入
Standard
NTC热敏电阻
No
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”,我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题,请留言或发送电子邮件至 1943626632@qq.com,我们将尽快回复。
有货 25579 PCS
联系信息
关键词 MII150-12A4
MII150-12A4 电子元件
MII150-12A4 销售
MII150-12A4 供应商
MII150-12A4 分销商
MII150-12A4 数据表
MII150-12A4 图片
MII150-12A4 报价
MII150-12A4 提供
MII150-12A4 最低价格
MII150-12A4 搜索
MII150-12A4 购买
MII150-12A4 芯片