图片可能具有代表性。
产品详情请参阅规格.
MMIX1F180N25T

MMIX1F180N25T

MOSFET N-CH 250V 130A SMPD
型号
MMIX1F180N25T
制造商/品牌
系列
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
24-PowerSMD, 21 Leads
供应商器件封装
24-SMPD
功率耗散(最大)
570W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
250V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
132A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
13 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
5V @ 8mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
364nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
23800pF @ 25V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
10V
电压 (最大值)
±20V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”,我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题,请留言或发送电子邮件至 1943626632@qq.com,我们将尽快回复。
有货 40198 PCS
联系信息
关键词 MMIX1F180N25T
MMIX1F180N25T 电子元件
MMIX1F180N25T 销售
MMIX1F180N25T 供应商
MMIX1F180N25T 分销商
MMIX1F180N25T 数据表
MMIX1F180N25T 图片
MMIX1F180N25T 报价
MMIX1F180N25T 提供
MMIX1F180N25T 最低价格
MMIX1F180N25T 搜索
MMIX1F180N25T 购买
MMIX1F180N25T 芯片