VMO1200-01F
MOSFET N-CH 100V 1245A Y3-LI
型号
VMO1200-01F
制造商/品牌
系列
HiPerFET™
零件状态
Active
包装
Tray
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
Y3-Li
供应商器件封装
Y3-Li
功率耗散（最大）
-
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
100V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
1220A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
1.35 mOhm @ 932A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 64mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
2520nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
-
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±20V
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