MG12150D-BA1MM
IGBT 1200V 210A 1100W PKG D
型号
MG12150D-BA1MM
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
Module
功率 - 最大
1100W
配置
Half Bridge
供应商器件封装
D3
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
210A
电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）
1200V
电流 - 集电极截止（最大值）
1mA
IGBT类型
-
Vce(on)（最大值）@Vge，Ic
1.8V @ 15V, 150A (Typ)
输入电容 (Cies) @ Vce
11nF @ 25V
输入
Standard
NTC热敏电阻
No
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