MCMN2012-TP
MOSFET N-CH 20V 12A DFN202
型号
MCMN2012-TP
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装
DFN2020-6J
功率耗散（最大）
-
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
12A (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
11 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
32nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1800pF @ 4V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
1.2V, 4.5V
电压 (最大值)
±10V
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