LN100LA-G
MOSFET 2N-CH 1200V
型号
LN100LA-G
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
工作温度
-25°C ~ 125°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-VFLGA
功率 - 最大
350mW
供应商器件封装
6-LFGA (3x3)
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Cascoded)
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
-
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
3000 Ohm @ 2mA, 2.8V
Vgs(th)（最大值）@Id
1.6V @ 10µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
50pF @ 25V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 1943626632@qq.com，我们将尽快回复。
有货 34453 PCS
联系信息
相关产品
关键词 LN100LA-G
LN100LA-G 电子元件
LN100LA-G 销售
LN100LA-G 供应商
LN100LA-G 分销商
LN100LA-G 数据表
LN100LA-G 图片
LN100LA-G 报价
LN100LA-G 提供
LN100LA-G 最低价格
LN100LA-G 搜索
LN100LA-G 购买
LN100LA-G 芯片
×
![]()