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LP0701N3-G

LP0701N3-G

MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3
型号
LP0701N3-G
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Bulk
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装
TO-92
功率耗散(最大)
1W (Tc)
场效应晶体管类型
P-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
16.5V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
500mA (Tj)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
1.5 Ohm @ 300mA, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id
1V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
250pF @ 15V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
2V, 5V
电压 (最大值)
±10V
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