PMDXB550UNEZ
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
型号
PMDXB550UNEZ
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-XFDFN Exposed Pad
功率 - 最大
285mW
供应商器件封装
DFN1010B-6
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
590mA
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
670 mOhm @ 590mA, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
950mV @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
1.05nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
30.3pF @ 15V
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