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PMV50EPEAR

PMV50EPEAR

MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB
型号
PMV50EPEAR
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装
TO-236AB
功率耗散(最大)
310mW (Ta), 455mW (Tc)
场效应晶体管类型
P-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
4.2A (Ta)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
45 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
3V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
19.2nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
793pF @ 15V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
4.5V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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