PHN210,118
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
型号
PHN210,118
制造商/品牌
系列
TrenchMOS™
零件状态
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
工作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
功率 - 最大
2W
供应商器件封装
8-SO
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
-
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
100 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.8V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
250pF @ 20V
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