PMGD130UN,115
MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP
型号
PMGD130UN,115
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
功率 - 最大
390mW
供应商器件封装
6-TSSOP
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
1.2A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
145 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
1.3nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
83pF @ 10V
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