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EFC6601R-TR

EFC6601R-TR

MOSFET 2N-CH EFCP
型号
EFC6601R-TR
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-XFBGA, FCBGA
功率 - 最大
2W
供应商器件封装
EFCP2718-6CE-020
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏源电压 (Vdss)
-
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
-
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
-
Vgs(th)(最大值)@Id
-
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
48nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
-
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