图片可能具有代表性。
产品详情请参阅规格.
FCP11N60N

FCP11N60N

MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220
型号
FCP11N60N
制造商/品牌
系列
SupreMOS™
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220-3
功率耗散(最大)
94W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
600V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
10.8A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
299 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
35.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1505pF @ 100V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
10V
电压 (最大值)
±30V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”,我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题,请留言或发送电子邮件至 1943626632@qq.com,我们将尽快回复。
有货 21512 PCS
联系信息
关键词 FCP11N60N
FCP11N60N 电子元件
FCP11N60N 销售
FCP11N60N 供应商
FCP11N60N 分销商
FCP11N60N 数据表
FCP11N60N 图片
FCP11N60N 报价
FCP11N60N 提供
FCP11N60N 最低价格
FCP11N60N 搜索
FCP11N60N 购买
FCP11N60N 芯片