购买 ON Semiconductor FDB52N20TM MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK - 天凌箭

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FDB52N20TM

数据表

FDB52N20TM

MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK

型号

FDB52N20TM

制造商/品牌

ON Semiconductor

系列

UniFET™

零件状态

Active

包装

Cut Tape (CT)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

封装/箱体

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装

D²PAK

功率耗散（最大）

357W (Tc)

场效应晶体管类型

N-Channel

场效应晶体管特性

-

漏源电压 (Vdss)

200V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C

52A (Tc)

Rds On（最大值）@ Id、Vgs

49 mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)（最大值）@Id

5V @ 250µA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

63nC @ 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

2900pF @ 25V

驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）

10V

电压 (最大值)

±30V

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