FDC021N30
PT8 N 30V/20V, MOSFET
型号
FDC021N30
制造商/品牌
系列
PowerTrench®
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SOT-23-6
供应商器件封装
SuperSOT™-6
功率耗散（最大）
700mW (Ta)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
6.1A (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
26 mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
3V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
10.8nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
710pF @ 15V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4.5V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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