FDC6020C
MOSFET N/P-CH 20V 6SSOT
封装/箱体
6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
5.9A, 4.2A
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
27 mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs(th)(最大值)@Id
1.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
677pF @ 10V
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