FDMB3800N
MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET
供应商器件封装
8-MLP, MicroFET (3x1.9)
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
4.8A
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
40 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
3V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
5.6nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
465pF @ 15V
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